Моделирование вертикального транспорта электронов в устройствах с последовательным туннелированием

Абрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.; Щербакова, И. Ю.

Моделирование вертикального транспорта электронов в устройствах с последовательным туннелированием

Абрамов, И. И., Коломейцева, Н. В., Лабунов, В. А., Щербакова, И. Ю.

Дата публикации: 2023

Дата публикации в реестре: 2024-04-15T11:26:51Z

Аннотация:

В работе рассмотрено моделирование вольт-амперных характеристик (ВАХ) резонансно-туннельных диодов (РТД) с вертикальным транспортом, а также возможность моделирования устройств с последовательным туннелированием. Расчеты проводились с использованием разработанной комбинированной модели, основанной на численном решении уравнений Шредингера и Пуассона в активной области прибора.

Ключевые слова:
публикации ученых, вольт-амперные характеристики, диоды, резонансно-туннельные диоды, вертикальный транспорт

Тип: Article

Моделирование вертикального транспорта электронов в устройствах с последовательным туннелированием

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация