Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 24798

Страница 11 из 2480

СВЧ-диагностика полупроводников на основе кинетической модели переноса носителей заряда
Мадьяров, Владимир Рафкатович
СВЧ-диагностика полупроводников на основе кинетической модели переноса носителей заряда
Фотоэлектрические преобразователи на основе полупроводников с глубокими многозарядными примесями
Свистун, А. И., Тявловский, К. Л.
Фотоэлектрические преобразователи на основе полупроводников с глубокими многозарядными примесями
Исследование параметров фоторезистора на основе полупроводников с многозарядными примесями с помощью схемы деления напряжения
Красовская, А. А., Шадурская, Л. И.
Исследование параметров фоторезистора на основе полупроводников с многозарядными примесями с
Особенности использования мостовой схемы измерения параметров фоторезисторов на основе полупроводников с многозарядными примесями
Пузына, Г. С., Шадурская, Л. И.
полупроводников с многозарядными примесями
Широкодиапазонные фотоэлектрические измерительные преобразователи на основе полупроводников с многозарядными примесями
Яржембицкая, Н. В.
Широкодиапазонные фотоэлектрические измерительные преобразователи на основе полупроводников с
Особенности длинных диодов из полупроводников с глубокими многозарядными примесями
Буйневич, М. В., Шадурская, Л. И.
Особенности длинных диодов из полупроводников с глубокими многозарядными примесями
Влияние температуры на электрофизические параметры полупроводников и p–n переходов
Гамезо, А. А., Ананьева, И. Р., Шадурская, Л. И.
Влияние температуры на электрофизические параметры полупроводников и p–n переходов
ИК-фотоприемники на основе полупроводников с глубокими примесями, работающие в линейном режиме при высоких интенсивностях света
Гусев, О. К., Шадурская, Л. И., Яржембицкая, Н. В.
ИК-фотоприемники на основе полупроводников с глубокими примесями, работающие в линейном режиме при
Потенциальный барьер как инженерный параметр в приборных структурах на основе полупроводников с глубокими центрами
Гусев, О. К., Шадурская, Л. И., Яржембицкая, Н. В.
Потенциальный барьер как инженерный параметр в приборных структурах на основе полупроводников с
Методика преподавания раздела «Электрические свойства металлов и полупроводников» в лекционном курсе общей физики и лабораторном практикуме
Кудин, В. И., Мартинович, В. А.
Методика преподавания раздела «Электрические свойства металлов и полупроводников» в лекционном

Страница 11 из 2480

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core