Анализ осциллограмм скачков переполяризации в монокристаллах триглицинсульфата537.226 Электрические свойства
диэлектриков. Проницаемость. Диэлектрическая прочность
Влияние старения на динамику доменной структуры монокристаллов триглицинсульфата537.226 Электрические свойства
диэлектриков. Проницаемость. Диэлектрическая прочность
Формирование пленок оксида гафния методом реактивного магнетронного распыления (так называемые альтернативные, или high-k диэлектрики) [1]. Из данных
диэлектриков наибольшие
R, С элементы интегральных микросхем на основе наноструктурных вентильных металлов и композиционных металлоксидов, высококачественных нанокомпозиционных
диэлектриков и низкоомных токоведущих проводников. Улучшенные характеристики R
Универсальный цифровой измеритель контактной разности потенциалов и поверхностной фото-ЭДС (полупроводниковых пластин и
диэлектриков), а также измерения количественных характеристик бесконтактным методом