По вашему запросу найдено документов: 1387
Страница 1 из 139
Метод расчета основных параметров радиационных установок при облучении неперемешиваемых систем ускоренными электронами ускоренными электронами
Радиационная физика узкозонных полупроводниковоблучение электронами быстрыми
Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на спектры оптического поглощения кристаллов GaSeВлияние облучения высокоэнергетическими электронами на спектры оптического поглощения кристаллов GaSe
Облучение крахмала высокоэнергетическими электронами с целью его модификацииОблучение крахмала высокоэнергетическими электронами с целью его модификации
Оптические и электрические свойства облученных быстрыми электронами светодиодов на основе гетероструктурИсследовано влияние облучения быстрыми электронами (4 МэВ) на электрические и оптические свойства
Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на электрофизические и оптические свойства легированных и нелегированных кристаллов GaSeВлияние облучения высокоэнергетическими электронами на электрофизические и оптические свойства
Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaNЭлектронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN
Изменение спектров диффузного отражения после облучения в вакууме ультрафиолетом и электронами покрытия на основе модифицированного наночастицами фотолюминофора для светодиодов видимого диапазонаИзменение спектров диффузного отражения после облучения в вакууме ультрафиолетом и электронами
Оценка воспалительной реакции в поджелудочной железе после введения N-ацетилцистеина в модели постлучевого панкреатита тканей поджелудочной железы (ПЖ) с развитием признаков постлучевого панкреатита. Облучение электронами
Особенности пролиферации и апоптоза клеток поджелудочной железыпосле введения N-ацетилцистеина в модели острого постлучевого панкреатита - контрольная (n=10); II (n=20) - фракционное локальное облучение электронами; III (n=20) - введение NAC перед
Страница 1 из 139
Фасеты
Партнеры
Индексация
