Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

расширенный поиск

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

Веревкин, Сергей Сергеевич, Говорков, А. В., Ермаков, В. С., Колин, Николай Георгиевич, Корулин, Алексей Викторович, Поляков, А. Я., Смирнов, Н. Б., Брудный, Валентин Натанович

Дата публикации: 2012

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:09:58Z

Ключевые слова:
нитрид галлия, электронное облучение, эпитаксиальные пленки

Тип: статьи в журналах

Источник: Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, вып. 4. С. 450-456

Связанные документы (рекомендация CORE)