По вашему запросу найдено документов: 8423
Страница 12 из 843
Пучково-плазменные технологии для создания материалов и устройств микро- и наноэлектроники: учебно-методическое пособие для студентов направления 011200.68 - Физика, магистерская программа "Физика наноструктур и наносистем": [в 3-х ч.]. Ч. 2
Спектр излучения двухатомных молекул гелия-3 и гелия-4 в области 465 имСпектр излучения двухатомных молекул гелия-3 и гелия-4 в области 465 им
Рассеяние волн совокупностью нелинейных объектовРассеяние волн совокупностью нелинейных объектов
Анализ структуры быстрозатвердевших сплавов Al-Ti и Al-V методами резерфордовского обратного рассеяния и сканирующей фотоэлектронной спектроскопии ускоренных ионов гелия, сканирующей фотоэлектронной спектроскопии (СФЭС),растровой электронной микроскопиии
Diffusion of the admixture in the atmosphereРассеяние примесей в атмосфере
Элементный состав и распределение компонентов по глубине в структурах Pd/Fe, полученных методом динамического атомного перемешиванияС помощью резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с компьютерным
Формирование поверхностного слоя методом вакуумного осаждения кобальта и молибдена на графит ионов гелия и рентгеновской фотоэлектронной
спектроскопии. В покрытии, кроме осаждаемого металла
Исследование рассеяния электромагнитных волн на трехмерном диэлектрическом теле в присутствии тонкого проводникарассеяние электромагнитных волн
Использование функции Йоста для расчета дискретного спектра атома гелияПредлагается способ расчета связанных состояний атома гелия, основанный на поиске корней функции
Влияние постоянного электрического поля на интенсивность запрещенных линий в спектре атома гелия : работа на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.Влияние постоянного электрического поля на интенсивность запрещенных линий в спектре атома гелия
Страница 12 из 843
Фасеты
Партнеры
Индексация
