По вашему запросу найдено документов: 8369
Страница 2 из 837
Композиционный состав и дефектообразование в кремнии с имплантированным маркером Хе при нанесении титана в условиях ионного ассистирования обратного рассеяния в сочетании с каналированием (РОР/К) ионов гелия с энергией 2 МэВ, а также применялось
Состав приповерхностных слоев структур Ti/Si и Cо/Si, полученных ионно-ассистируемым осаждением в вакуумерезерфордовское обратное рассеяние
Распределение элементов по глубине в структурах Me/Ti, полученных ионно-ассистируемым осаждениемрезерфордовское обратное рассеяние
Состав Ti/Si- и Co/Si-структур, сформированных ионно-ассистируемым осаждением глубине в сформированных покрытиях изучались методом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в
Изучение поверхности структур металл / кремний, полученных ионно-ассистируемым осаждением покрытий в вакууме обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с компьютерным моделированием RUMP и методом резонансных ядерных
Метод резерфордовского обратного рассеяния как способ изучения структуры вещества: основы и технологииВ статье рассматриваются основы метода резерфордовского обратного рассеяния (РОР) ионами гелия и
Влияние параметров ионно-ассистируемого осаждения на формирование Me/Si-структур напряжения для ассистирующих ионов Со+, Мо+, W+ от 20 до 7 кВ и зависит как от отношения плотности потока
Формирование глубинных наноразмерных слоев силицидов и диэлектриков в кремнии обратное рассеяние, сканирующая электронная микроскопия, масс-спектроскопия вторичных ионов, измерение
Модификация структуры поверхности сплавов Al-Fe высоко- и гиперскоростной кристаллизациейВ настоящей работе, используя резерфордовское обратное рассеяние ионов гелия, сканирующую зондовую
Обратное рассеяние и прохождение через тонкие слои вещества электронов низких энергийОбратное рассеяние и прохождение через тонкие слои вещества электронов низких энергий
Страница 2 из 837
Фасеты
Партнеры
Индексация
