Измерение длительности фемтосекундных импульсов полупроводникового лазера по АКФ первого порядкаИзмерение длительности фемтосекундных импульсов
полупроводникового лазера по АКФ первого порядка
Анализ эксплуатационной надежности резервируемых изделий микроэлектроникиДля выявления конкретной причины появления мерцающего отказа
полупроводникового
прибора с
Компьютерное моделирование тепловых процессов в мощном полупроводниковом приборе. Показано, что значительную часть в общее тепловое сопротивление
прибора вносит тепловое сопротивление слоя
Использование кондуктивной схемы испытаний реакции полупроводниковых приборов на внешний ЭМИ). Приводится методика получения экспериментальных данных для определения времени отказа
полупроводникового Измерение температуры литейной формы с помощью полупроводникового термоэлектрического элементаИзмерение температуры литейной формы с помощью
полупроводникового термоэлектрического элемента
Электрофизические свойства полупроводникового соединения AIVBIVЭлектрофизические свойства
полупроводникового соединения AIVBIV
Определение параметров алмазной теплоотводящей подложки для полупроводникового лазераОпределение параметров алмазной теплоотводящей подложки для
полупроводникового лазера
Исследование режимов модуляции излучения полупроводникового лазераИсследование режимов модуляции излучения
полупроводникового лазера