Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 10632

Страница 3 из 1064

Моделирование вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при неоднородном распределении состава и легирующей примеси слое полупроводника. Показано, что неоднородное распределение концентрации электронов существенно

Эмиссия вторичных электронов из различных мишеней под действием электронов больших энергийЭмиссия вторичных электронов из различных мишеней под действием электронов больших энергий

ТОЧНОСТЬ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ КОНЦЕНТРАЦИИ В ИОНОСФЕРЕ ВЕНЕРЫ ПО ДАННЫМ РАДИОПРОСВЕЧИВАНИЯВыполнены анализ ошибок определения концентрации электронов в дневной ионосфере Венеры по

Основные свойства полупроводников

Интенсивная электронная эмиссия диэлектрика, индуцированная наносекундной инжекцией пучка электронов умеренной и высокой плотности тока: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.07 - Физика конденсированного состояния электронов умеренной и высокой плотности тока: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата

К механизму перетекания тока между струями в двухструйной электрической дуге

НЕСТАЦИОНАРНАЯ МОДЕЛЬ ВЧЕ-РАЗРЯДА ПРИ ПОНИЖЕННОМ ДАВЛЕНИИ программного комплекса рассчитываются распределения концентрации ионов, электронов, метастабильных атомов

Резонансное взаимодействие ленгмюровской волны с электронами квазистационарной плазмы, эволюция которой протекает в хвосте распределения электронов, когда концентрация или температура плазмы

Электрофизические свойства полупроводников

Подвижность электронов в модуляционно-легированной структуре на основе нитрида галлия подвижностью электронов, ТВПЭ) на основе нитрида галлия являются перспективными элементами сенсорных

Страница 3 из 1064