Моделирование магнитостатического взаимодействия в многослойных структурахМоделирование
магнитостатического взаимодействия в многослойных структурах
Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристалле-n-переходом и каналом p-
типа, имеет W/L = 3870,
I CC = 6,99 мА, R = 27,7 нс, ENC = 5360 эл. при той же