Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе»Шелибак, И.,
Ловшенко, И. Ю.,
Стемпицкий, В. Р.,
Shelibak, I.,
Lovshenko, I. Yu.,
Stempitsky, V. R. Биполярный
транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии
МДП-транзистор с индуцированным каналом. Структура, расчет электрических параметровМДП-
транзистор с индуцированным каналом. Структура, расчет электрических параметров
Арсенид-галлиевый гетеропереходный биполярный транзисторАрсенид-галлиевый гетеропереходный биполярный
транзистор Тонкопленочный полевой транзистор на основе InGaZnO – функциональный элемент оптоэлектроникиТонкопленочный полевой
транзистор на основе InGaZnO – функциональный элемент оптоэлектроники