Способы получения объемных структур соединений группы (AⅠ In5S8)1-x – (In2S3)xПолучения высококачественных полупроводников соединений
группы (AIIn5
S8)1-x - (In2
S3)x пригодных
О σᵢ -длине конечной σ -разрешимой группы -базис
группы G такой, что Hᵢ перестановочна с Hj для всех
i, j, тогда lσᵢ (G) ≤ 1 для всех
i.
(iii) Если