Изучение роста и разрушения кристаллов в магнитных и акустических полях кристаллов CuSO[4] при нормальных условиях роста,
в сильном магнитном поле, рассмотрено поведение кристаллов
Влияние экранов на распределения импульсных магнитных полей при транскраниальной магнитной стимуляцииСамуйлов, И. В.,
Кайдак, М. Н.,
Сагай Маруф Газаль Гобад,
Белан, В. А.,
Samuilov, I. V.,
Kaidak, M. N.,
Saga Maruf Ghazal Ghobadi,
Belan, V. A. Влияние экранов на распределения
импульсных магнитных полей при транскраниальной магнитной
ВЛИЯНИЕ СКРЕЩЕННЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА вольтамперные характеристики тлеющего разряда
в скрещенных электрических и
магнитных полях. Изучено влияние
МетрологияВ учебном пособии раскрыты основные понятия и даны определения по метрологии и метрологическому
Фотоэлектронные умножители с многослойными пленочными экранами для защиты от воздействия внешних постоянных магнитных полейБатищев, А. Г.,
Власик, К. Ф.,
Грабчиков, С. С.,
Грачев, В. М.,
Дмитренко, В. В.,
Калашников, Н. П.,
Муравьев-Смирнов, С. С.,
Ньюнт, П. В.,
Улин, С. Е.,
Утешев, З. М.,
Челедюк, А. В. эффективности экранирования 8–10
в магнитных полях с индукцией 0,1–1 мТл, и 80–100 –
в магнитных полях с