По вашему запросу найдено документов: 51820
Страница 1 из 5182
Усовершенствованный технологический маршрут формирования биполярного транзистора со статической индукцией физико-топологическое моделирование полупроводниковых структур. Частью такого моделирования является
Физико-топологическое моделирование МОП-транзисторов для схемотехнического проектирования низкоэнергетических КМОП-схем.Целью работы является разработка физико-топологической модели МОП- транзистора, основанной на
Газ кротовых нор как модель Темной Материи : специальность 01.04.02 "Теоретическая физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук топологическое смещение источников, что можно
интерпретировать как наличие Темной Материи. Рассмотрены
Construction of Topological Tables for Digital Models of Linear Complexesтопологическое моделирование
Explicit Digital Models of Linear Complexesтопологическое моделирование
Газодинамические эффекты при горении смесевого металлизированного твердого топливафизико-математическое моделирование
Вестник ЦКР Роснедра. № 2. С. 20-27. Моделирование технологических режимов работы газоконденсатных скважинВестник ЦКР Роснедра. № 2. С. 20-27. Моделирование технологических режимов работы газоконденсатных
Вестник ЦКР Роснедра. № 2. С. 20-27. Моделирование технологических режимов работы газоконденсатных скважинВестник ЦКР Роснедра. № 2. С. 20-27. Моделирование технологических режимов работы газоконденсатных
Вестник ЦКР Роснедра. № 2. С. 20-27. Моделирование технологических режимов работы газоконденсатных скважинВестник ЦКР Роснедра. № 2. С. 20-27. Моделирование технологических режимов работы газоконденсатных
Вестник ЦКР Роснедра. № 2. С. 20-27. Моделирование технологических режимов работы газоконденсатных скважинВестник ЦКР Роснедра. № 2. С. 20-27. Моделирование технологических режимов работы газоконденсатных
Страница 1 из 5182
Фасеты
Партнеры
Индексация
