По вашему запросу найдено документов: 750058
Страница 1 из 75006
МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ ТРАНСФЕР-МАТРИЦЫ НЕОДНОРОДНЫХ БАРЬЕРНЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯМОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ ТРАНСФЕР-МАТРИЦЫ НЕОДНОРОДНЫХ БАРЬЕРНЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ КАРБИДА
Модель диодов Шоттки с моп-канавочной структурой диодах Шоттки с МОТ-канавочной структурой.
Фотодиоды с барьером шоттки. Спектральная чувствительность фотодиодов с барьером шотткиФотодиоды с барьером шоттки. Спектральная чувствительность фотодиодов с барьером шоттки
Расчет характеристик карбидокремниевых диодов Шоттки для малогабаритных металлополимерных корпусовВыполнен расчет характеристик охранной системы карбидокремниевых 4H-S1C диодов Шоттки с
Модель обратной вольтамперной характеристики и определение параметров контакта Шоттки с охранным кольцомВ статье представлен метод определения высоты барьера Шоттки, основанный на оптими-
зации
Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3
Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавками характеристики диодов Шоттки с канавочной структурой металл – окисел – полупроводник (МОП), учитывающей
Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом гетероструктуре AlGaAs/InGaAs. Диоды Шоттки с барьером на основе Ti создавались по стандартной p
Распределение температуры в токоведущих элементах диода Шоттки при воздействии электромагнитного импульса длительностью до 2-х наносекундРабота посвящена вопросам изменения температуры в диоде Шоттки в процессе воздействия
Формирование термостойких контактов для приборов с барьером Шоттки на арсениде галлияИсследованы процессы ионно-лучевого формирования
термостойких контактов с барьером Шоттки на
Страница 1 из 75006
Фасеты
Партнеры
Индексация
