Обеднение кремния, индуцированное пленками нитрида кремния в структуре Si/Si₃N₄/Нематик/ITOНаноразмерные (< 10 нм) пленки нитрида
кремния, полученные магнетронным напылением, изменяют порог
Двулучевое лазерное термораскалывание кристаллического кремнияДвулучевое
лазерное термораскалывание кристаллического
кремния Квантовый вычислительный модуль на основе кремниевой ступенчатой наноструктурыПодрябинкин, Д. А.,
Данилюк, А. Л.,
Борисенко, В. Е.,
Podryabinkin, D. A.,
Danilyuk, A. L.,
Borisenko, V. E. кремниевой ступенчатой наноструктуры, содержащей цепочки магнитного изотопа
кремния 29Si в качестве
Обеднение кремния, индуцированное пленками нитрида кремния в структуре Si/Si₃N₄/Нематик/ITOНаноразмерные (< 10 нм) пленки нитрида
кремния, полученные магнетронным напылением, изменяют порог
Исследование процесса лазерной прошивки отверстий в кремнии при формировании 3D структур материала. Для
кремния, обладающего большей тепло-проводностью, необходимо увеличить частоту импульсов и вре
Термохимический синтез сиалона и муллита при помощи лазерного излученияВласов, Виктор Алексеевич,
Саркисов, Юрий Сергеевич,
Клопотов, Анатолий Анатольевич,
Безухов, Константин Александрович,
Сыртанов, Максим Сергеевич,
Сапрыкин, Александр Александрович , тройных и четверных однофазных оксинитридов
кремния совместно с алюминием, как правило, в виде твердых рас
Лазерное осаждение сплавов на основе алюминия и магния для ремонта и восстановления поверхности деталей лазерном осаждении алюминий-магниевого сплава с содержанием магния 0,6–0,95 %,
кремния – 0,7–1,0, титана