Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 70381

Страница 1 из 7039

СТОХАСТИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ РЕНТГЕНОВСКОГ7О ИЗЛУЧЕНИЯ МИКРОКВАЗАРА XTE J1550-564 // Филология и культура (Вестник ТГГПУ) 2008 N15 рентгеновского излучения микроквазара XTE J1550-564. Показано, что анализ наблю-даемых серий неэквидистантных по

Dynamic and spectral X-ray features of the microquasar XTE J1550-564 from the microquasar XTE J1550-564. The X-ray dynamics has been recorded aboard the Rossi X-Ray Timing

Dynamic and spectral X-ray features of the microquasar XTE J1550-564 from the microquasar XTE J1550-564. The X-ray dynamics has been recorded aboard the Rossi X-Ray Timing

Получение и исследование микроструктурных свойств объемных сплавов PbₓSn₁₋ₓTeЦель работы – получение и характеристика поликристаллических объемных сплавов PbₓSn₁₋ₓTe

ОСОБЕННОСТИ ДИНАМИКИ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ АСТРОФИЗИЧЕСКИХ ОБЪЕКТОВ: КЛАССИФИКАЦИЯ ЭФФЕКТОВ СТАТИСТИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ // Ученые записки КФУ. Физико-математические науки 2012 том154 N3

СОДЕРЖАНИЕ // Филология и культура (Вестник ТГГПУ) 2008 N15

Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTeПредставлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого

Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмыПриводятся результаты исследования ВФХ МДП структур на основе CdxHg1-xTe, подвергнутых действию

Температурные зависимости электропроводности полупроводниковых тонких пленок PbxSn1-xTeТемпературные зависимости электропроводности полупроводниковых тонких пленок PbxSn1-xTe

Температурные зависимости электрических свойств полупроводниковых тонких пленок PbxSn1-xTeТемпературные зависимости электрических свойств полупроводниковых тонких пленок PbxSn1-xTe

Страница 1 из 7039