Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTe

Талипов, Нияз Хатимович; Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTe

Талипов, Нияз Хатимович, Войцеховский, Александр Васильевич

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:08:19Z

Аннотация:

Представлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого травления (ИЛТ) низкоэнергетическими ионами Ar+. Показано, что при хорошем тепловом контакте кристалла и охлаждаемого столика установки нагрев КРТ не превышает 0,2 оС. В случае полного отсутствия теплового контакта образца и столика радиационный нагрев кристалла может превышать 120 оС. Проведено сравнение нагрева КРТ в процессе ИЛТ Ar+ и ионной имплантации аргона.

Ключевые слова:
радиационные дефекты, ионно-лучевое травление, ионная имплантация, инфракрасные фотодетекторы, кристаллы

Тип: статьи в журналах

Источник: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 61-67