Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 23257

Страница 1 из 2326

Механизм cтарения пленки LiF c нанокластерами меди и его влияние на параметры работы мемристора
Щепина, Лариса Иннокентьевна, Паперный, Виктор Львович, Черных, Алексей Андреевич, Иванов, Николай Аркадьевич
Механизм cтарения пленки LiF c нанокластерами меди и его влияние на параметры работы мемристора
Устройство и принцип работы мемристора
Барбарич, Е. В., Медведева, А. Н.
В данной статье рассматривается принцип работы мемристора, его основные характеристики, а также
Компактная многофиламентная модель резистивного переключения металлооксидного мемристора
Ибрагим, А. Х. А., Губин, А. А., Бусыгин, А. Н., Удовиченко, С. Ю., Ibragim, A. Kh. A., Gubin, A. A., Busygin, A. N., Udovichenko, S. Yu.
переключения металлооксидного мемристора с контролируемой многоуровневой настройкой проводимости, которая
Математическое моделирование резистивных состояний и динамического переключения мемристора на основе оксида металла
Ebrahim, A. H., Udovichenko, S. Yu., Ибрагим, А. Х., Удовиченко, С. Ю.
Представлена математическая модель резистивных состояний и динамического переключения мемристора из
Математическое моделирование резистивного переключения в мемристоре на основе полной модели процессов массопереноса кислородных вакансий и ионов
Ибрагим, А. Х. А., Бусыгин, А. Н., Удовиченко, С. Ю., Ebrahim, A. H. A., Busygin, A. N., Udovichenko, S. Yu.
Создана относительно простая математическая модель динамического переключения мемристора на основе
Увеличение диапазона резистивного переключения мемристора для реализации большего числа синаптических состояний в нейропроцессоре
Бобылев, А. Н., Удовиченко, С. Ю., Бусыгин, А. Н., Ибрагим, А. Х., Bobylev, A. N., Udovichenko, S. Yu., Busygin, A. N., Ebrahim, A. H.
улучшает электрофизические характеристики мемристора. Установлено существование оптимальной мольной доли
Теплофизическая модель мемристорно-диодного микрочипа
Sozonov, M. V., Busygin, A. N., Bobylev, A. N., Kislitsyn, A. A., Созонов, М. В., Бусыгин, А. Н., Бобылев, А. Н., Кислицын, А. А.
Наиболее популярные модели работы мемристора, основанные на принципе формирования и разрыва нитей
Создание электронного запоминающего устройства, подобного по свойствам синапсу мозга
Bobylev, A. N., Udovichenko, S. Yu., Бобылев, А. Н., Удовиченко, С. Ю.
характеристик. Описаны зависящие от времени эффекты в процессах переключения мемристора. Указаны свойства живых
Пучково-плазменные технологии для создания материалов и устройств микро- и наноэлектроники: учебно-методическое пособие для студентов направления 011200.68 - Физика, магистерская программа "Физика наноструктур и наносистем": [в 3-х ч.]. Ч. 3
Удовиченко С. Ю., Тюменский государственный университет
Электрические схемы и топология ячеек памяти на базе мемристоров для сверхбольших матриц
Бусыгин, А. Н.
В данной исследовательской работе рассматривается возможность применения мемристора в качестве

Страница 1 из 2326

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core