Механизмы повреждений полупроводниковых структур, вызванные воздействием ЭМИ связанных с электростатическим разрядом (ЭСР)
механизмов отказов:
тепловой вторичный
пробой Тепловые модели отказов полупроводниковых структур при воздействии мощных электромагнитных импульсов воздействие мощных электромагнитных импульсов (МЭМИ). Показаны основ-
ные способы описания
тепловой Анализ физических причин необратимых отказов полупроводниковых структур при воздействии ЭМИ: ЭМИ – наведённые помехи – изме-
нение протекающего тока – электрический (лавинный)
пробой –
тепловой Исследование процесса оптического пробоя кристаллов ZnGeP2 посредством цифровой голографииДемин, Виктор Валентинович,
Ольшуков, Алексей Сергеевич,
Подзывалов, Сергей Николаевич,
Половцев, Игорь Георгиевич,
Юдин, Николай Николаевич,
Грибенюков, Александр Иванович данных позволяет сделать вывод о
тепловой природе пробоя кристаллов ZnGeP2 при облучении лазерным