По вашему запросу найдено документов: 148917
Страница 1 из 14892
Определение времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN в гетероструктурах типа p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом с использованием лазерной интерферометрии атмосфере Cl2/N2/O2 слоев p-GaN и AlGaN в гетероструктурах типа p-GaN/AlGaN/GaN. Установлено, что при
Modeling AlGaN p-i-n photodiodes software to create a model of a p-i-n photodiode based on AlGaN alloy.
FEATURES OF OBTAINING p-(Al)GaN FOR OPTOELECTRONIC DEVICES IN THE BLUE, GREEN AND NEAR UV REGIONS OF THE SPECTRUM and AlGaN. It is shown that analysis of the photoluminescence spectra of such samples makes it possible
Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом атмосфере Cl2/N2/O2 слоев GaN, p-GaN и AlGaN в гетероструктурах типов AlGaN/GaN и p-GaN/AlGaN/GaN
Закономерности деформации и разрушения покрытий на основе системы Ti-Al-N при механическом нагруженииЗакономерности деформации и разрушения покрытий на основе системы Ti-Al-N при механическом
Effect of the Beryllium Acceptor Impurity upon the Optical Properties of Single-Crystal AlN that the postgrowth doping of AlN with Be brings about the compensation of shallow Si donor centers uncontrollably
Морфология поверхности и механические свойства покрытий Al-Cr-N с различным содержанием Al поверхности и механических свойств покрытий AlCrN с различным содержанием Al. На поверхности покрытий
Электрофизические свойства наноструктурированных покрытий TiAlSiN, TiAlSiCN для задач космического приборостроенияСформированы образцы нитридных и карбонитриных покрытий TiAlSiN, TiAlSiCN. Прове- дены измерения
The Evolution of Al-Qaeda: Between Regional Conflicts and a Globalist Perspective of modern times, al-Qaeda. This topic is relevant since the ongoing conflicts in the Middle East, Africa
Страница 1 из 14892
Фасеты
Партнеры
Индексация
