ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ p-(Al)GaN ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ СИНЕ-ЗЕЛЕНОЙ И БЛИЖНЕЙ УФ-ОБЛАСТЕЙ СПЕКТРА

Khoteeva A.V.; Sabitov D.R.; Marmalyuk A.A.

ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ p-(Al)GaN ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ СИНЕ-ЗЕЛЕНОЙ И БЛИЖНЕЙ УФ-ОБЛАСТЕЙ СПЕКТРА

Khoteeva A.V., Sabitov D.R., Marmalyuk A.A.

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T14:40:36Z

Аннотация:

Работа посвящена особенностям легирования атомами Mg гетероструктур на основе GaN и AlGaN. Показано, что анализ спектров фотолюминесценции таких образцов позволяет обнаружить энергетические состояния в запрещенной зоне, связанные с процессом самокомпенсации, и способствует получению качественных слоев p-типа проводимости.

Ключевые слова:
GaN, AlGaN, Mg-doping, photoluminescence, легирование Mg, фотолюминесценция

Тип: Article

Права: open access

Источник: Перспективные материалы и технологии (ПМТ-2023)