Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типа

Абрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.; Романова, И. А.; Abramov, I. I.; Kolomejtseva, N. V.; Labunov, V. A.; Romanova, I. A.

Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типа

Абрамов, И. И., Коломейцева, Н. В., Лабунов, В. А., Романова, И. А., Abramov, I. I., Kolomejtseva, N. V., Labunov, V. A., Romanova, I. A.

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T07:07:20Z

Аннотация:

С использованием разработанных численных моделей проведено моделирование резонансно-туннельных диодов (РТД) на основе графена на подлож ках карбида кремния и гексагонального нитрида бора. Исследовано влияние различных факторов на вольт-амперные характеристики. Показана важность использования самосогласованного расчета при моделировании РТД на основе графена с протяженными приконтактными областями.The article describes the models developed on the numerical solution o f Schrodinger equation (model 1) and Schrddinger and Poisson equations (model 2). Simulation o f the two graphene resonant tunneling diodes on SiC (RTD 1) and h -B N (RTD 2) sub strates was performed using the proposed numerical models. The influence o f various factors (well width d, barrier width wb, tem perature T) on IV-characteristics was investigated. The importance o f a self-consistent calculation with the use o f model 2 fo r sim ulation o f graphene RTD with extended (passive) regions was illustrated.