Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типаАбрамов, И. И.,
Коломейцева, Н. В.,
Лабунов, В. А.,
Романова, И. А.,
Abramov, I. I.,
Kolomejtseva, N. V.,
Labunov, V. A.,
Romanova, I. A. -туннельных диодов (РТД)
на основе графена на подлож ках карбида кремния и гексагонального нитрида
бора Источники одиночных фотонов внутри пузырьков на гомо-интерфейсе слоев гексагонального нитрида бора является
гексагональный нитрид бора. В данной работе исследуются механически собранные гомоструктуры из
Влияние высоких давлений и температур на гексагональный нитрид галлияВлияние высоких давлений и температур на
гексагональный нитрид галлия
Проницаемость слоистой мембраны нитрида бора молекулами газовой смесиПроницаемость слоистой мембраны нитрида
бора молекулами газовой смеси
Осаждение дисперсноупрочненых покрытий никель - нитрид бора - алмазОсаждение дисперсноупрочненых покрытий никель -
нитрид бора - алмаз