Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells

Dzyadukh, Stanislav M., Voytsekhovskiy, Alexander V., Gorn, Dmitriy Igorevich, Nesmelov, Sergey N.

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T18:32:00Z

Аннотация:

Ключевые слова:
электрофизические свойства, МДП-структуры, теллурид кадмия ртути, квантовые ямы, молекулярно-лучевая эпитаксия

Тип: статьи в журналах

Источник: Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 661. P. 012032 (1-6)

Другие версии документа

Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells for optoelectronics devices

Связанные документы (рекомендация CORE)