Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT

Брудный, Валентин Натанович; Брудный, Павел Александрович; Великовский, Леонид Эдуардович; Афонин, Антон Геннадьевич

Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT

Брудный, Валентин Натанович, Брудный, Павел Александрович, Великовский, Леонид Эдуардович, Афонин, Антон Геннадьевич

Дата публикации: 2019

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:26:04Z

Аннотация:

Проанализировано влияние облучения протонами, электронами, гамма-лучами и быстрыми нейтронами на параметры InAlN/GaN HEMT-структур. Рассмотрены особенности исходных электронных свойств барьерных слоев InAlN и AlGaN при изменении их состава, а также изменение этих свойств при воздействии высокоэнергетической радиации с учетом композиционной зависимости энергетического положения уровня зарядовой нейтральности в энергическом спектре барьерных слоев.

Ключевые слова:
транзисторы с высокой подвижностью электронов, радиационная стойкость, уровень зарядовой нейтральности

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 9. С. 106-112