Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

По вашему запросу найдено документов: 51063

Страница 1 из 5107

BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование
Брудный, Валентин Натанович
BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование
Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT
Брудный, Валентин Натанович, Брудный, Павел Александрович, Великовский, Леонид Эдуардович, Афонин, Антон Геннадьевич
высокоэнергетической радиации с учетом композиционной зависимости энергетического положения уровня зарядовой
Fermi level pinning and hydrostatic pressure effect in electron irradiated GaSb
Brudnyi, Valentin N., Kamenskaya, I. V., Brudnyi, P. A.
уровень зарядовой нейтральности
Features of radiation changes in electrical properties of InAlN/GaN HEMTs
Afonin, A. G., Brudnyi, Valentin N., Brudnyi, P. A., Velikovskii, L. E.
уровень зарядовой нейтральности
Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела
Брудный, Валентин Натанович
выхода металла, как и предсказывает модель, которая учитывает уровень зарядовой нейтральности
Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe
Брудный, Валентин Натанович, Саркисов, Сергей Юрьевич, Кособуцкий, Алексей Владимирович
Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe
Анизотропия проводимости и перераспределение зарядовой плотности в слоистых высокотемпературных сверхпроводниках
Гурский, Л. И., Каланда, Н. А., Gurskii, L. I., Kаlаndа, N. А.
Анизотропия проводимости и перераспределение зарядовой плотности в слоистых
Приборы с зарядовой связью (ПЗС)
Дудко, М. В., Кравченко, М. Д.
Данная работа содержит общие сведения о приборах с зарядовой связью, сферы применения данной
Прибор с зарядовой связью. ПЗС-матрица
Осмоловский, Н. С., Овсянников, П. В.
Прибор с зарядовой связью. ПЗС-матрица
Цериевые примесные центры в кристаллах флюорита с различной зарядовой компенсацией
Старостин, Н.В., Герасюк, А.К., Ганин, В.А.
Цериевые примесные центры в кристаллах флюорита с различной зарядовой компенсацией

Страница 1 из 5107

Фасеты

Новости проекта

Новости

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core