Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава

Войцеховский, Александр Васильевич; Коханенко, Андрей Павлович; Лозовой, Кирилл Александрович

Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава

Войцеховский, Александр Васильевич, Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:38:34Z

Ключевые слова:
Странского-Крастанова переход, полупроводники, критическая толщина

Тип: статьи в сборниках

Источник: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 99

Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация