Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 18939

Страница 1 из 1894

Динамика сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур по Странскому-Крастанову
Лозовой, Кирилл Александрович, Дирко, Владимир Владиславович, Коханенко, Андрей Павлович, Кукенов, Олжас Игоревич, Винарский, Владимир Петрович
слоев и формировании квантовых точек по механизму Странского – Крастанова в упруго-напряженных системах
Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава
Войцеховский, Александр Васильевич, Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович
Странского-Крастанова переход
Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces
Kokhanenko, Andrey P., Lozovoy, Kirill A., Voytsekhovskiy, Alexander V.
Странского-Крастанова переход
Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
Лозовой, Кирилл Александрович, Коханенко, Андрей Павлович, Войцеховский, Александр Васильевич
В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х
Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
Lozovoy, Kirill A., Kokhanenko, Andrey P., Voytsekhovskiy, Alexander V.
Странского-Крастанова переход
Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
Lozovoy, Kirill A., Kokhanenko, Andrey P., Voytsekhovskiy, Alexander V.
Странского-Крастанова переход
Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова
Кульчицкий, Николай Александрович, Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович, Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук)
Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова
Comparative analysis of pyramidal and wedge-like quantum dots formation kinetics in Ge/Si(001) system
Voytsekhovskiy, Alexander V., Kokhanenko, Andrey P., Satdarov, Vadim G., Lozovoy, Kirill A.
механизм роста Странского - Крастанова
Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией
Войцеховский, Александр Васильевич, Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук), Несмелов, Сергей Николаевич, Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович, Кульчицкий, Николай Александрович
механизм роста Странского - Крастанова
High-resolution RHEED analysis of dynamics of low-temperature superstructure transitions in Ge/Si(001) epitaxial system
Dirko, Vladimir V., Lozovoy, Kirill A., Kokhanenko, Andrey P., Voytsekhovskiy, Alexander V.
Странского-Крастанова механизм роста

Страница 1 из 1894

Фасеты

Новости проекта

Новости

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core