Материалов:
1 082 141

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами

Толбанов, Олег Петрович, Вилисова, Мария Дмитриевна, Прудаев, Илья Анатольевич, Хлудков, Станислав Степанович

Дата публикации: 2016

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:53:44Z

Ключевые слова:
арсенид галлия легированный, примеси переходных металлов, легирование полупроводников примесное, легирование полупроводников диффузионное, легирование эпитаксиальных слоев, арсенида галлия π-v-n-структуры, S-диоды лавинные переключающие, детекторы ионизирующих излучений, фотоприемники многоэлементные УФ диапазона, фоторезисторные приемники ИК-излучения, генераторы терагерцевого диапазона, арсенида галлия высокоомные слои, пассивация интегральных схем, арсенид галлия легированный марганцем, арсенид галлия легированный железом, арсенид галлия ферромагнитный, гетероструктуры арсенида галлия ферромагнитного, полупроводники ферромагнитные, спинтроника, материалы, генераторы дельта-импульсов, электронные структуры арсенида галлия

Тип: монографии

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core