Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрамиПолупроводниковые приборы на основе
арсенида галлия с глубокими примесными центрами
Изучение окисленных слоев на поверхности арсенида галлия поверхности
арсенида галлия. Полученные в работе результаты свидетельствуют о том, что окисные
слои