Повышение селективности травления нитрида кремния к диоксиду кремния субмикронных интегральных схем

Емельянов, В.В.

Повышение селективности травления нитрида кремния к диоксиду кремния субмикронных интегральных схем

Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2023-11-01T13:21:13Z

Аннотация:

В работе представлены решение для повышения селективности травления нитрида кремния, полученного химическим осаждением из парогазовой фазы, по отношению к термическому диоксиду кремния. = The paper presents a solution for increasing the selectivity of etching of silicon nitride obtained by chemical vapor deposition with respect to thermal silicon dioxide.

Ключевые слова:
реактивно-ионное травление, нитрид кремния, диоксид кремния, микроэлектроника, reactive ion etching, silicon nitride, silicon dioxide, microelectronics

Тип: Article

Права: open access