Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 360

Страница 10 из 36

Экспериментальное определение эффективного времени жизни резонансно-возбужденных атомов К, Rb и Cs в разрядной плазме цилиндрической геометрии
Корчевой, Ю.П., Лукашенко, С.Н.
времена жизни резонансно-возбужденных атомов K, Rb и Сs. Экспериментально установлена нижняя граница
Исследование влияния поверхностного заряда и параметров рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода
Абрамов, И. И., Гончаренко, И. А., Abramov, I. I., Goncharenko, I. A.
Описана модифицированная численная комбинированная модель резонансно-туннельного диода (РТД
Разделение изотопов водорода с помощью двухслойных мембран
Потеряева, Валентина Александровна, Бубенчиков, Михаил Алексеевич
туннельный эффект
Особенности структуры двухслойного электродугового покрытия с добавками наночастиц карбонитридов Ti на низкоуглеродистой стали
Кузнецов, Павел Викторович, Гальченко, Нина Константиновна, Беляева, Ирина Владимировна, Козлова, Танзиля Вакильевна
сканирующие туннельный микроскопы
Исследование влияния расстояния между кремниевыми пластинами на скорость СВЧ плазмохимического удаления фоторезистивных пленок
Бельский, Д. В., Мадвейко, С. И., Бордусов, С. В., Тихон, О. И., Лушакова, М. С.
туннельный реактор
К теории прохождения электронов в полупроводниковой структуре, состоящей из чередующихся асимметричных прямоугольных потенциальных ям и барьеров
Расулов, Вохоб Рустамович
туннельный переход
Исследование dV/dt характеристик карбидокремниевых диодов Шоттки
Рыбалка, С. Б., Демидов, А. А., Кульченков, Е. А., Дракин, А. Ю.
диодов при подаче амплитуды импульса обратного напряжения VA через диод Шоттки (300+950 В
Исследование характеристик полупроводниковых приборов
Гольдаде, В.А.
Исследование механических параметров чувствительного элемента резонансно-частотного датчика давления
Таловская, Алена Алексеевна, Моховиков, Денис Максимович, Барбин, Евгений Сергеевич, Кулинич, Иван Владимирович, Гуляева, Ангелина Алексеевна
Рассматривается чувствительный элемент резонансно-частотного датчика давления, его характеристики и
Клинико-электронейромиографические особенности поражения периферических нервов верхних и нижних конечностей при сахарном диабете
Степанович М.А., Мансур Н.Ю., Ткаченко А.С., Чхеидзе Тинатин
глубоких ветвей малоберцовых нервов Двусторонний карпальный туннельный синдром является самой частой формой

Страница 10 из 36

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core