Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 12584

Страница 18 из 1259

Композиционный состав циркониевого покрытия, осажденного на кремний в условиях ионного ассистирования
Бобрович, Олег Георгиевич
состав покрытий на кремнии входят атомы осаждаемого металла Zr, технологических примесей С, О и Al, а
Перенос носителей заряда и электролюминесценция в наноразмерных периодических структурах кремний/диэлектрик.
Берашевич, Ю. А., Berashevich, J. A.
Разработана модель переноса и рекомбинации носителей заряда через периодические структуры кремний
Декорирование кремниевых структур методом химического осаждения меди на пористый кремний
Рощин, Л. Ю., Бондаренко, А. В., Roshchin, L. Yu., Bondarenko, A. V.
наноструктурированных пленок меди, получаемых методом химического осаждения на пористый кремний из растворов
Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе»
Шелибак, И., Ловшенко, И. Ю., Стемпицкий, В. Р., Shelibak, I., Lovshenko, I. Yu., Stempitsky, V. R.
кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» (КНИ). Рассмотрены особенности функционирования различных
Особенности электрохимического осаждения никеля в мезопористый кремний
Долгий, А. Л., Прищепа, С. Л., Петрович, В. А., Бондаренко, В. П.
методом в пористый кремний проведено осаждение никеля. Исследована зависимость поверхностного
Контроль дефектов структуры кремний-диэлектрик на основе анализа пространственного распределения потенциала по поверхности полупроводниковых пластин
Воробей, Р. И., Гусев, О. К., Жарин, А. Л., Петлицкий, А. Н., Пилипенко, В. А., Турцевич, А. С., Тявловский, А. К., Тявловский, К. Л.
контроля и выявления дефектов структур кремний-диэлектрик. Метод использовался для визуализации
Parameters identification and optimization of photovoltaic panels under real conditions using Lambert W-function
Ben hmamou, Dris, Elyaqouti, Mustapha, Arjdal, Elhanafi, Ibragim, Ahmed, Abdul-Ghaffar, H. I., Aboelsaud, Raef, Obukhov, Sergey, Diab, Ahmed A. Zaki
поликристаллический кремний
Наноэлектронные приборы на квантовых колодцах диэлектрик/кремний/диэлектрик
Данилюк, А. Л., Берашевич, Ю. А., Королев, А. В., Холод, А. Н., Борисенко, В. Е., Danilyuk, A. L., Berashevich, J. A., Korolev, A. V., Kholod, A. N., Borisenko, V. E.
резонансных эффектов в наноразмерных периодических структурах диэлектрик/кремний
Образование остаточных нарушений в кремнии, имплантированном ионами углерода и бора
Плебанович, В. И., Белоус, А. И., Челядинский, А. Р., Оджаев, В. Б., Plebanovich, V. I., Belous, A. I., Chelyadinskii, A. R., Odzhaev, V. B.
нарушений в кремнии, имплантированном ионами С+ и методом двойной им- плантации С+ и В+. Установлено, что
Физические процессы в светоизлучающих диодах на наноструктурированном кремнии
Жагиро, П. В., Губаревич, А. А., Кацуба, П. С., Салимьянов, В. М., Смирнов, А. Г., Jaguiro, P. V., Gubarevich, A. A., Katsuba, P. S., Salimianov, V. M., Smirnov, A. G.
светоизлучающих диодах на пористом кремнии. Проведен краткий анализ соответствую­ щих физических процессов и

Страница 18 из 1259

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core