По вашему запросу найдено документов: 24888
Страница 8 из 2489
Использование параметров электрического режима биполярных транзисторов в качестве имитационных факторов отказов биполярных транзисторов. В качестве имитационного фактора обычно используют температуру.
Конструктивно-технологические особенности MOSFET -транзисторов полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Определены оптимальные варианты конструктивно
Моделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием монослоя графенаРассмотрены вопросы моделирования выходных характеристик полевых транзисторов
с использованием
Поиск информативных параметров для прогнозирования индивидуальной надежности транзисторов большой мощностиОбосновывается задача исследований по поиску информативных параметров для транзисторов большой
Трехмерное моделирование GAAS транзисторов диапазона КВЧ с субмикронной длиной затвораРассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs транзисторов
диапазонов СВЧ
Выбор оптимальных условий фазового синхронизма для полупроводниковых нелинейных кристаллов при каскадной накачке в области 2 мкм 17 мкм. Кристалл CdSe имеет наибольший диапазон прозрачности, однако остальные параметры не позволяют
О решениях автономных нелинейных систем Гамильтона второго порядканелинейные уравнения
Исследования изменений теплового сопротивления мощных МОП транзисторов при термоиспытаниях сопротивления, а также профили растекания теплового потока мощных импортных МОП транзисторов (аналогов
Программно-аппаратный комплекс LabVIEW-NI ELVIS II+ для измерения вольтамперных характеристик МОП-транзисторов передаточных и выходных вольтамперных характеристик МОП-транзисторов. Разработанный комплекс предназначен для
Биполярный транзистор. Статический режимРассматриваются структура транзисторов и особенности их вольтамперной характеристики. Приводятся
Страница 8 из 2489
Фасеты
Партнеры
Индексация
