Трехмерное моделирование GAAS транзисторов диапазона КВЧ с субмикронной длиной затвора

Мищенко, В. Н.

Трехмерное моделирование GAAS транзисторов диапазона КВЧ с субмикронной длиной затвора

Дата публикации: 2016

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T18:04:29Z

Аннотация:

Рассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs транзисторов диапазонов СВЧ и КВЧ, которые находят широкое применение для создания приемопередающих устройств, радиометров и ряда других приборов.

Ключевые слова:
материалы конференции, GaAs транзистор

Тип: Article