Особенности электрохимического осаждения никеля в мезопористый кремний методом в пористый
кремний проведено осаждение никеля. Исследована зависимость поверхностного
Особенности фотоэлектрических характеристик структур TiO2-Si- n -Si.
Пленки оксида титана толщиной 70 нм получали ВЧ-магнетронным напылением на эпитаксиальный
Film materials based on polyethylene with nanoparticles of silicon and silicon carbide пленки, содержащие 0,1-1,5% (мас.) наночастицы n-SiС и n-Si, полученные плазмохимическим методом. С
Ультрадисперсные порошки, наноструктуры, материалы ультрадисперсных (нано-) порошков и систем; наноструктуры и тонкие
пленки в материалах и микротехнике; исследование
Ультрадисперсные порошки, наноструктуры, материалы ультрадисперсных (нано-) порошков и систем; наноструктуры и тонкие
пленки в материалах и микротехнике; исследование
Пористый кремний как материал для управления адгезией металлических элементов к поверхности кремнияКлышко, А. А.,
Бондаренко, В. П.,
Балукани, М.,
Klyshko, A. A.,
Bondarenko, V. P.,
Balucani, M. , металлические
пленки, датчики и пр.The adhesion of metal wires to the surface of porous silicon has
Температурная зависимость роста 3C-SiC при быстрой вакуумно-термической обработке кремния кремнии при карбидизации в диапазоне температур 1000–1300 °С. Обнаружено, что формирование слоев Si