Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 5897

Страница 9 из 590

Особенности электрохимического осаждения никеля в мезопористый кремний методом в пористый кремний проведено осаждение никеля. Исследована зависимость поверхностного

Особенности фотоэлектрических характеристик структур TiO2-Si- n -Si. Пленки оксида титана толщиной 70 нм получали ВЧ-магнетронным напылением на эпитаксиальный

Film materials based on polyethylene with nanoparticles of silicon and silicon carbide пленки, содержащие 0,1-1,5% (мас.) наночастицы n-SiС и n-Si, полученные плазмохимическим методом. С

Влияние отжига в вакууме на электропроводность и триботехнические характеристики наноразмерных углеродных азотсодержащих покрытийуглеродные азотсодержащие покрытия

Ультрадисперсные порошки, наноструктуры, материалы
ультрадисперсных (нано-) порошков и систем; наноструктуры и тонкие пленки в материалах и микротехнике; исследование

Ультрадисперсные порошки, наноструктуры, материалы
ультрадисперсных (нано-) порошков и систем; наноструктуры и тонкие пленки в материалах и микротехнике; исследование

Пористый кремний как материал для управления адгезией металлических элементов к поверхности кремния, металлические пленки, датчики и пр.The adhesion of metal wires to the surface of porous silicon has

Синтез и ионно-лучевая модификация алмазоподобных углеродных пленок: Автореф. дис.... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10АЛМАЗОПОДОБНЫЕ УГЛЕРОДНЫЕ ПЛЕНКИ

Модифицирование карбидо-кремниевой керамики иерархическими системами «Многослойные углеродные нанотрубки – кремний» на основе карбида кремния. В качестве связующего использовали мелкокристаллический кремний в

Температурная зависимость роста 3C-SiC при быстрой вакуумно-термической обработке кремния кремнии при карбидизации в диапазоне температур 1000–1300 °С. Обнаружено, что формирование слоев Si

Страница 9 из 590