Статистическая модель плосконапряженного состояния тонких молекулярных пленок кристаллической
пленки с точечными дефектами типа вакансий. Для этого используется ранее развитое двухуровневое
Тонкие пленки диоксида гафния, полученные реактивным ионно-лучевым распылениемТонкие пленки диоксида гафния, полученные реактивным ионно-лучевым распылением