Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 937

Страница 18 из 94

Моделирование неоднородности паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти
Жевняк, О. Г., Борздов, А. В., Борздов, В. М., Абрамов, И. И.
короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, являющихся базовыми элементами современных микросхем флеш
Influence of Nanomodifying Additives and Strengthening Phase on the Structure and Properties of Laser Coating of Porous Titanium
Skorokhod, Ksenia A., Cherepanov, Anatoly N., Malikov, Aleksander G., Krasnov, Danila A., Скороход, К.А., Черепанов, А.Н., Маликов, А.Г., Краснов, Д.А.
фазой из карбида титана, а в качестве модифицирующей добавки — наноразмерный тугоплавкий порошок нитрида
Оценка тепловых параметров мощных биполярных транзисторов методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии
Васьков, О. С., Нисс, В. С., Турцевич, А. С., Керенцев, А. Ф., Кононенко, В. К.
Биполярный транзистор
Усовершенствованный технологический маршрут формирования биполярного транзистора со статической индукцией
Лагунович, Н. Л.
Биполярный транзистор со статической индукцией
Разработать базовые конструкции и технологию изготовления элементной базы высокотемпературных КМОП БИС в КНИ структурах: отчет о НИР (заключ.)
Бондаренко, В. П., Долгий, Л. Н., Клышко, А. А., Бондаренко, А. В., Чубенко, Е. Б., Долгий, А. Л., Редько, С. В., Абрамов, К. И., Долгий, Ал. Л.
Проведен анализ физических процессов, протекающих в полупроводниковых кремниевых МОП структурах в
Стоковые характеристики силовых МОП-транзисторов с диэлектриком, азотированным ионной имплантацией
Оджаев, В. Б., Петлицкий, А. Н., Просолович, В. С., Ковальчук, Н. С., Черный, В. В., Шестовский, Д. В., Янковский, Ю. Н.
-амперные характеристики силовых МОП-транзисторов. Установлено, что в диапазоне напряжений на затворе VG = 0,5…–1,5 В
Экспериментальное исследование деградации изделий электронной техники
Боровиков, С. М., Шнейдеров, Е. Н., Плебанович, В. И., Бересневич, А. И., Бурак, И. А., Borovikov, S. M., Shneiderov, E. N., Plebanovich, V. I., Berasnevich, A. I., Burak, I. A.
транзистор
Усовершенствование технологического маршрута изготовления и приборно-технологическое моделирование биполярного транзистора со статической индукцией
Лагунович, Н. Л., Борздов, В. М., Турцевич, А. С., Lagunovich, N. L., Borzdov, V. M., Turtsevich, A. S.
биполярный транзистор
Моделирование технологии формирования структуры IGBT транзистора
Шелибак, И. М.
IGBT-транзистор (англ. Insulated Gate Bipolar Transistor — биполярный транзистор с изолированным
Обеспечение устойчивости к лавинному пробою мощных кремниевых МОП-транзисторов с канавочным затвором
Котов, В. С., Токарев, В. В., Борисенко, В. Е.
пробою мощных кремниевых металл/окисел/полупроводник (МОП) транзисторов с канавочным затвором за счет

Страница 18 из 94

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core