Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 937

Страница 14 из 94

Моделирование электрических характеристик графенового полевого транзистора на основе данных расчетов из первых принципов
Боровик, А. М., Баранова, М. С., Гвоздовский, Д. Ч.
графеновый полевой транзистор
Инструментарий для расчета полевых транзисторов на основе двухслойного графена
Абрамов, И. И., Коломейцева, Н. В., Лабунов, В. А.
полевой транзистор
Стабильность электрических характеристик МОП-структур на основе оксида галлия
Калыгина, Вера Михайловна, Петрова, Юлианна Сергеевна, Прудаев, Илья Анатольевич, Толбанов, Олег Петрович
Стабильность электрических характеристик МОП-структур на основе оксида галлия
Моделирование радиационной стойкости элементов логических КМОП интегральных микросхем
Лазарь, А. П., Коршунов, Ф. П.
-канальных металл-окисел-полупроводник (МОП) транзисторов – элементов комплементарных МОП интегральных
Моделирование неисправностей расширенного класса на основе переключательных моделей
Лукашов, В. М.
МОП-технологии
Кварцевый генератор
Корзун, А. И., Шпота, С. Д.
МОП-транзисторы
Структура GaN транзисторов
Бондарев, А. А.
МОП-транзисторы
Конструкция ТРЕНЧ МОП диода Шоттки
Володин, И. А., Моковский, В. А.
ВР, VT4045ВР, VT4045С фирмы Vishay Intertechnology изготовлены по субмикронной ТРЕНЧ МОП
Радиационные эффекты в элементах субмикронных КМОП интегральных схем
Коршунов, Ф. П., Богатырев, Ю. В., Белоус, А. И., Шведов, С. В., Малышев, В. С., Ластовский, С. Б., Карась, В. И., Гуринович, В. А.
(МОП)-структур, а также n- и р-канальных МОП-транзисторов (МОПТ): элементов субмикронных (0
Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавками
Соловьев, Я. А.
характеристики диодов Шоттки с канавочной структурой металл – окисел – полупроводник (МОП), учитывающей

Страница 14 из 94

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core