Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 15114

Страница 19 из 1512

Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VIII. Нанотpанзистоpы с МДП-стpуктуpой (часть 1)Пpоанализиpованы модели кpемниевых нанотpанзистоpов со стpуктуpой металл

Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VIII. Нанотpанзистоpы с МДП-стpуктуpойВ данной части pаботы пpоанализиpованы модели кpемниевых нанотpанзистоpов со стpуктуpой металл

Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VIII. Нанотpанзистоpы с МДП-стpуктуpойВ данной части pаботы пpоанализиpованы модели кpемниевых нанотpанзистоpов со стpуктуpой металл

Прозрачные электромагнитные экраны основание с многослойным покрытием в системе металл-керамика.

Взаимодействие импульсных электромагнитных полей с поверхностями металлических образцов найдена их связь с эффективной глубиной проникновения магнитного поля в металл.

Коэффициент прозрачности контакта сверхпроводник/нормальный металл и критическая температура трехслойных мезоструктур I конечной прозрачности (ненулевого сопротивления) контакта сверхпровод- ник/нормальный металл на

Наполненные композиционные материалы на основе стереорегулярного полиизопрена металл-алкоголятных систем, и канифоли, а также комплексной соли на основе кислот канифоли.

Исследование процессов низкотемпературного осаждения тонких пленок диоксида ванадия для изготовления микроболометров пленок диоксида ванадия для создания активных электронных элементов с фазовым переходом металл

Влияние свойств границы раздела Si-SiO2 на параметры транзистораВлияние свойств границы раздела Si-SiO2 на параметры транзистора

Влияние жертвенных слоев Mg2Si и кинетических параметров на рост, структуру и оптические свойства тонких пленок Ca2Si на кремневых подложкахПромоделировано сопряжение кристаллических решеток двумерных слоев Mg2Si с атомарно

Страница 19 из 1512