Особенности реакции и отказы в полупроводниковых структурах, вызываемые действием электромагнитного импульса-n-переходов, выгорание отдельных участков полупроводника, обрыв металлизации, пробой тонких слоев
диэлектриков и т
Электричество и магнетизм, физике
диэлектриков, электрическом токе. Дается элементарное объяснение используемых математических
Структура планарной поверхности кремниевых пластин до и после быстрой термообработки менее 30 нм, который является ответственным за структурное совершенство подзатворных
диэлектриков Электрометрический преобразователь с расширенным диапазоном измерений расширенным диапазоном измерений для измерения электростатического потенциала поверхности
диэлектриков