Материалов:
1 081 645

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 222

Страница 3 из 23

Двухсторонняя литография - решение проблем отвода тепла и разводки межсоединений
Плебанович, В. И., Plebanovich, V. I.
По мере повышения степени интеграции ИМС возникают две проблемы. Первая – увеличивается площадь
Металлизация отверстий при создании межсоединений элементов ИМС
Кушнер, Л. К., Кузьмар, И. И., Степанова, Л. И., Лазарук, С. К., Василец, В. К., Хмыль, А. А.
Металлизация отверстий при создании межсоединений элементов ИМС
Разработка процесса соединения кристаллов ИМС в объемные структуры с применением бессвинцового припоя : отчет о НИР (заключ.)
Бондаренко, В. П., Долгий, А. Л., Долгий, Л. Н., Шапель, А. П., Редько, С. В., Абрамов, К. И.
Разработка процесса соединения кристаллов ИМС в объемные структуры с применением бессвинцового
Разработать конструкции и технологию соединения кристаллов КНИ ИМС с металлизированными кремниевыми пластинами в объемно-интегрированные структуры : отчет о НИР (заключ.)
Бондаренко, В. П., Долгий, А. Л., Долгий, Л. Н., Бондаренко, А. В., Чубенко, Е. Б.
Разработать конструкции и технологию соединения кристаллов КНИ ИМС с металлизированными кремниевыми
Исследовать закономерности электрохимических процессов формирования медных стержней в отверстиях с большим аспектным числом внутри кремниевых пластин, соединяющих эти пластины в 3d-структуры ИМС : отчет о НИР (заключ.)
Хмыль, А. А., Кушнер, Л. К., Кузьмар, И. И., Богуш, Н. В., Бранцевич, В. К.
большим аспектным числом внутри кремниевых пластин, соединяющих эти пластины в 3d-структуры ИМС : отчет о
Статистические аспекты сквозного моделирования ИМС
Чан Туан Чунг, Нелаев, В. В., Стемпицкий, В. Р.
Статистические аспекты сквозного моделирования ИМС
Информационно-параметрические методы совершенствования технологии производства субмикронных интегральных микросхем с применением тестовых структур
Емельянов, А. В., Ymel’yanov, A. V.
интегральные микросхемы (ИМС)
Определение родия методом инверсионной вольтамперометрии по пикам селективного электроокисления металла-активатора из ИМС с родием
Нестеров, А. А., Колпакова, Н. А.
металла-активатора из ИМС с родием
Информационно-параметрические методы совершенствования технологии производства субмикронных интегральных микросхем с применением тестовых структур
Емельянов, А. В.
интегральные микросхемы (ИМС)
Схемотехнические и конструктивно-технологические методы повышения быстродействия ТТЛШ и биполярно - комплементарных МОП-вентилей, используемых в логических сериях ИМС и интерфейсных БИС
Ефименко, С. А., Efimenko, S. A.
нагрузочной способностью, которые являются основой серий логических сериях ИМС и интерфейсных БИС. Целью

Страница 3 из 23

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core