По вашему запросу найдено документов: 4724
Страница 3 из 473
Современные и перспективные полупроводниковые материалы для микроэлектроники следующего десятилетия (2020-2030 гг.) кремния (SiC), нитрид галлия (GaN), алмаз, оксид галлия (Ga2O3), нитрид алюминия (AlN), нитрид бора (BN
Журнал физической химии: научный журнал. - Москва; Ленинград: Изд-во АН СССР, 1939. – Т. 13, вып. 9 растворах; Ишкин И. П., Бурбо П. З. Растворимость твердых ацетилена и двуокиси углерода в жидком кислороде
Плазмохимический способ получения системы алюминий - нитрид алюминиятивно получение системы алюминий - нитрид алюминия, так как алюминий представляет собой раскислитель, что также
Состав композиционного материала, синтезированного сжиганием смеси нанопорошка алюминия с диоксидами титана и циркония в воздухенитрид алюминия
Нитрид галлия – перспективный материал радиационно-стойких полупроводниковых приборовНитрид галлия – перспективный материал радиационно-стойких полупроводниковых приборов
Исследование взаимодействия алюмофосфатной связки с некоторыми наполнителями химические соединения в процессе нагревания до 850°, а нитрид кремния химически инертен. Полученные
Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodesнитрид индия-галлия
Combustion synthesis of chromium nitridesнитрид хрома
Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaNнитрид галлия
Страница 3 из 473
Фасеты
Партнеры
Индексация
