Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111) электронов определены температурные зависимости продолжительности стадии перехода из
сверхструктуры 7 x 7 в 5
Эффект Штарка в системе из двух молекулярных «подрешеток»Методом Лэнгмюра - Блоджетт получены молекулярные
сверхструктуры из двух типов красителей
Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков GeЕсин, Михаил Юрьевич,
Никифоров, Александр Иванович,
Тимофеев, Вячеслав Алексеевич,
Машанов, Владимир Иванович,
Туктамышев, Артур Раисович,
Лошкарев, Иван Дмитриевич,
Пчеляков, Олег Петрович .652 Å/с происходит полное исчезновение серии рефлексов от
сверхструктуры 1×2 при предварительном нагреве
Полевая ионная микроскопия интерфейсов в сплаве ЖС36-ВИ сверхструктуры L12. Проведена оценка размеров таких нановыделений. Ширина границ интерфейсов в сплаве ЖС36ВИ