Технологические приемы получения интегральным методом ЭИЛ с УЗВ покрытий увеличенной толщины и сплошности, включающей
электроискровое легирование материала с последующим ультразвуковым воздействием, на динамику роста
BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легированиеBN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела,
легирование