BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование

Брудный, Валентин Натанович

Дата публикации: 2016

Дата публикации в реестре: 2024-10-01T21:20:17Z

Ключевые слова:
зарядовая нейтральность, собственный уровень зарядовой нейтральности,, дефекты, поверхность, границы раздела, легирование химическими примесями

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 12. С. 178-181

Связанные документы (рекомендация CORE)