Материалов:
1 005 021

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

По вашему запросу найдено документов: 333

Страница 3 из 34

Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистора
Ловшенко, И. Ю., Стемпицкий, В. Р., Lovshenko, I. Y., Stempitsky, V. R.
transistor
Eurodisplay 2019
thin film transistors
A quantum computer in the scheme of an atomic quantum transistor with logical encoding of qubits
Moiseev S., Andrianov S., Moiseev E.
A scheme of a multiqubit quantum computer on atomic ensembles using a quantum transistor
Корреляционный анализ в решении задачи поиска информативных параметров транзисторов большой мощности
Казючиц, В. О., Шнейдеров, Е. Н., Kaziuchyts, V. O., Shneiderov, E. N.
to reduce their number and thereby simplify further experimental studies of transistors during
Output Characteristics of Graphene Field Effect Transistors
Mishchenka, V. N.
output characteristics. The aim was to simulate the output characteristics of field effect transistors
Влияние гамма-излучения на МОП/КНИ-транзисторы
Богатырев, Ю. В., Ластовский, С. Б., Сорока, С. А., Шведов, С. В., Огородников, Д. А., Bogatyrev, Yu. V, Lastovsky, S. B., Soroka, S. A., Shwedov, S. V., Ogorodnikov, D. A.
/SOI transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted.
Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе»
Шелибак, И., Ловшенко, И. Ю., Стемпицкий, В. Р., Shelibak, I., Lovshenko, I. Yu., Stempitsky, V. R.
and technological parameters device structures insulated- gate bipolar transistor (IGBT), formed in bulk
A quantum computer in the scheme of an atomic quantum transistor with logical encoding of qubits
Moiseev S., Andrianov S., Moiseev E.
A scheme of a multiqubit quantum computer on atomic ensembles using a quantum transistor
Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры мощных полевых МОSFЕТ транзисторов
Солодуха, В. А., Пилипенко, В. А., Горушко, В. А., Solodukha, V. A., Pilipenko, V. A., Gorushko, V. A.
-channel MOSFET transistors are listed. It was established, that the given treatment makes it possible
Charge properties of a MOS transistor structure with a channel made of a two-dimensional crystal
Makovskaya, T. I., Danilyuk, A. L., Krivosheeva, A. V., Shaposhnikov, V. L., Borisenko, V. E., Маковская, Т. И., Данилюк, А. Л., Кривошеева, А. В., Шапошников, В. Л., Борисенко, В. Е.
For further improvement of efficiency and speed of field transistors the application

Страница 3 из 34

Фасеты

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core