Исследования изменений теплового сопротивления мощных МОП транзисторов при термоиспытанияхБумай, Ю. А.,
Васьков, О. С.,
Нисс, В. С.,
Керенцев, А. Ф.,
Петлицкий, А. Н.,
Соловьев, Я. А. сопротивления, а также профили растекания теплового потока мощных импортных
МОП транзисторов (аналогов
Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-моп-транзистораЛовшенко, И. Ю.,
Стемпицкий, В. Р.,
Шандарович, В. Т.,
Lovshenko, I. Yu.,
Stempitsky, V. R.,
Shandarovich, V. T. электрические характеристики приборной структуры n-
МОП-транзистора. Показаны зависимости максимального тока
Конструктивно-технологическая оптимизация мощных ДМОП транзисторовБаранов, В. В.,
Кречко, М. М.,
Рубцевич, И. И.,
Baranov, V. V.,
Krechko, M. M.,
Rubcevich, I. I. n- и p-канальных
МОП транзисторов, конкурентоспо-
собных на мировом рынке. Диапазон рабочих
Технология изготовления КМОП-транзисторов : учеб.-метод. пособие металлическим затвором, а также различные типы многозатворных
МОП-транзисторов.
Зарядовые свойства транзисторной МОП-структуры с каналом из двумерного кристалла полупроводниковых двумерных кристаллов. Такие
транзисторы лишены некоторых отрицательных эффектов, проявляющихся в