БИС преобразователя емкость–напряжение для микроэлектромеханических датчиковБелоус, А. И.,
Дрозд, С. Е.,
Коннов, Е. В.,
Мухуров, Н. И.,
Плебанович, В. А.,
Belous, A. I.,
Drozd, S. E.,
Konnov, Е. V.,
Mukhurov, N. I.,
Plebanovich, V. А. Рассматриваются пути создания БИС преобразователя емкость–
напряжение для электронной схемы
О последовательном оценивании параметров авторегрессионной модели нормальное распределение. Время оценивания конечно и определяется правилом остановки, построенным по
Имитационное моделирование развития древостоя c учетом начального распределения растений по энергии роста: логарифмически-
нормальное и Вейбулла. Параметры моделей рассчитаны на основе данных таксации 528 пробных площадей
Динамика переключения элемента резистивной памятиРассчитаны ВАХ, пороговое
напряжение переключения и сопротивление элемента резистивной памяти (RRAM